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SQ2364EES-T1_GE3

Vishay Siliconix

型号:

SQ2364EES-T1_GE3

封装:

SOT-23-3 (TO-236)

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 2A, 4.5V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Power Dissipation (Max) 3W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SQ2364

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