minImg

SQ3418EV-T1_BE3

Vishay Siliconix

型号:

SQ3418EV-T1_BE3

封装:

6-TSOP

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 17858

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $0.608

    $0.608

  • 10

    $0.52915

    $5.2915

  • 100

    $0.36632

    $36.632

  • 500

    $0.306109

    $153.0545

  • 1000

    $0.260528

    $260.528

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 SQ3418EV-T1_BE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 SQ3418EV-T1_BE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SQ3418EV-T1_BE3 的最新报价。 SQ3418EV-T1_BE3 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 678 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.7 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package 6-TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)

SQ3418EV-T1_BE3 标签

  • SQ3418EV-T1_BE3
  • SQ3418EV-T1_BE3 PDF
  • SQ3418EV-T1_BE3 数据表
  • SQ3418EV-T1_BE3 规格
  • SQ3418EV-T1_BE3 图片
  • 买 SQ3418EV-T1_BE3
  • SQ3418EV-T1_BE3 价格
  • SQ3418EV-T1_BE3 分类
  • SQ3418EV-T1_BE3 关联产品
  • SQ3418EV-T1_BE3 关联新闻