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SQ3419AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

型号:

SQ3419AEEV-T1_GE3

封装:

6-TSOP

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 975 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61mOhm @ 2.5A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package 6-TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SQ3419

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