首页 / 单 FET，MOSFET / SQ3457EV-T1_GE3

SQ3457EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

型号:

SQ3457EV-T1_GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

6-TSOP

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 45

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$0.627

$0.627
10

$0.5434

$5.434
100

$0.376105

$37.6105
500

$0.314241

$157.1205
1000

$0.267434

$267.434

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 SQ3457EV-T1_GE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 SQ3457EV-T1_GE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SQ3457EV-T1_GE3 的最新报价。 SQ3457EV-T1_GE3 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 6A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Supplier Device Package	6-TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	5W (Tc)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.8A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQ3457