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SQD10N30-330H_GE3

Vishay Siliconix

型号:

SQD10N30-330H_GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

TO-252AA

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	330mOhm @ 14A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss)	300 V
Power Dissipation (Max)	107W (Tc)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQD10