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SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

型号:

SQJ411EP-T1_GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK® SO-8

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9100 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Power Dissipation (Max)	68W (Tc)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQJ411