首页 / 单 FET，MOSFET / SQJ414EP-T1_BE3

SQJ414EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

型号:

SQJ414EP-T1_BE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK® SO-8

批次:

数据手册:

描述:

N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 17979

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$0.8645

$0.8645
10

$0.7467

$7.467
100

$0.517275

$51.7275
500

$0.432212

$216.106
1000

$0.36783

$367.83

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 SQJ414EP-T1_BE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 SQJ414EP-T1_BE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SQJ414EP-T1_BE3 的最新报价。 SQJ414EP-T1_BE3 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 4.5A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)