首页 / FET、MOSFET 阵列 / SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

型号:

SQJ912AEP-T1_GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK® SO-8 Dual

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 SQJ912AEP-T1_GE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 SQJ912AEP-T1_GE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SQJ912AEP-T1_GE3 的最新报价。 SQJ912AEP-T1_GE3 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1835pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 9.7A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8 Dual
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® SO-8 Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	48W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A
Mfr	Vishay Siliconix
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQJ912