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SQJQ466E-T1_GE3

Vishay Siliconix

型号:

SQJQ466E-T1_GE3

封装:

PowerPAK® 8 x 8

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 10A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case PowerPAK® 8 x 8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SQJQ466

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