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SQM100N10-10_GE3

Vishay Siliconix

型号:

SQM100N10-10_GE3

封装:

TO-263 (D²Pak)

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 100V 100A TO263

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 30A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SQM100

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