minImg

SQS142ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

型号:

SQS142ENW-T1_GE3

封装:

PowerPAK® 1212-8SLW

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 请查询

请发送RFQ,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 SQS142ENW-T1_GE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 SQS142ENW-T1_GE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SQS142ENW-T1_GE3 的最新报价。 SQS142ENW-T1_GE3 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1952 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 10A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8SLW
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Power Dissipation (Max) 113W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
Package / Case PowerPAK® 1212-8SLW
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SQS142

SQS142ENW-T1_GE3 标签

  • SQS142ENW-T1_GE3
  • SQS142ENW-T1_GE3 PDF
  • SQS142ENW-T1_GE3 数据表
  • SQS142ENW-T1_GE3 规格
  • SQS142ENW-T1_GE3 图片
  • 买 SQS142ENW-T1_GE3
  • SQS142ENW-T1_GE3 价格
  • SQS142ENW-T1_GE3 分类
  • SQS142ENW-T1_GE3 关联产品
  • SQS142ENW-T1_GE3 关联新闻