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SQS405ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

型号:

SQS405ENW-T1_GE3

封装:

PowerPAK® 1212-8

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 8 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Product Status Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SQS405

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