首页 / FET、MOSFET 阵列 / SSM6L14FE(TE85L,F)

SSM6L14FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

SSM6L14FE(TE85L,F)

品牌:

Toshiba Semiconductor and Storage

封装:

ES6

批次:

数据手册:

描述:

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 34482

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$0.3895

$0.3895
10

$0.2755

$2.755
100

$0.13908

$13.908
500

$0.123291

$61.6455
1000

$0.09595

$95.95
2000

$0.08588

$171.76

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 SSM6L14FE(TE85L,F) 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 SSM6L14FE(TE85L,F) 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SSM6L14FE(TE85L,F) 的最新报价。 SSM6L14FE(TE85L,F) 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	150°C
FET Feature	Logic Level Gate, 1.5V Drive
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 10V, 110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Supplier Device Package	ES6
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	-
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	150mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	800mA (Ta), 720mA (Ta)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM6L14