首页 / 单 FET，MOSFET / STB10N65K3

STB10N65K3

STMicroelectronics

型号:

STB10N65K3

品牌:

STMicroelectronics

封装:

D²PAK (TO-263)

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 901

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$2.1755

$2.1755
10

$1.80975

$18.0975
100

$1.440675

$144.0675
500

$1.21904

$609.52

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 STB10N65K3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 STB10N65K3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 STB10N65K3 的最新报价。 STB10N65K3 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 3.6A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Series	SuperMESH3™
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STB10N6