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STH30N65DM6-7AG

STMicroelectronics

型号:

STH30N65DM6-7AG

品牌:

STMicroelectronics

封装:

H2PAK-7

批次:

数据手册:

描述:

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

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库存 : 235

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1

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10

$5.2953

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100

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500

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 10A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Supplier Device Package	H2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Power Dissipation (Max)	223W (Tc)
Series	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)