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STL19N60DM2

STMicroelectronics

型号:

STL19N60DM2

品牌:

STMicroelectronics

封装:

PowerFlat™ (8x8) HV

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320mOhm @ 5.5A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerFlat™ (8x8) HV
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Power Dissipation (Max)	90W (Tc)
Series	MDmesh™ DM2
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STL19