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STQ1HNK60R-AP

STMicroelectronics

型号:

STQ1HNK60R-AP

品牌:

STMicroelectronics

封装:

TO-92-3

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	156 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5Ohm @ 500mA, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Power Dissipation (Max)	3W (Tc)
Series	SuperMESH™
Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	400mA (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Cut Tape (CT)
Base Product Number	STQ1HNK60