首页 / 单 FET，MOSFET / STQ2HNK60ZR-AP

STQ2HNK60ZR-AP

STMicroelectronics

型号:

STQ2HNK60ZR-AP

品牌:

STMicroelectronics

封装:

TO-92-3

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 5886

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$0.931

$0.931
10

$0.8208

$8.208
100

$0.628995

$62.8995
500

$0.497249

$248.6245
1000

$0.397803

$397.803

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 STQ2HNK60ZR-AP 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 STQ2HNK60ZR-AP 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 STQ2HNK60ZR-AP 的最新报价。 STQ2HNK60ZR-AP 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8Ohm @ 1A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Supplier Device Package	TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Power Dissipation (Max)	3W (Tc)
Series	SuperMESH™
Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	500mA (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Cut Tape (CT)
Base Product Number	STQ2HNK60