首页 / 单 FET，MOSFET / SUM50010E-GE3

SUM50010E-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SUM50010E-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

TO-263 (D²Pak)

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 60V 150A TO263

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 1823

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$3.3535

$3.3535
10

$2.81865

$28.1865
100

$2.280285

$228.0285
500

$2.02692

$1013.46
1000

$1.735555

$1735.555
2000

$1.634209

$3268.418
5000

$1.567861

$7839.305

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 SUM50010E-GE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 SUM50010E-GE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SUM50010E-GE3 的最新报价。 SUM50010E-GE3 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	212 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.75mOhm @ 30A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-263 (D²Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	150A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Strip
Base Product Number	SUM50010