minImg

TN0110N3-G

Microchip Technology

型号:

TN0110N3-G

封装:

TO-92-3

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 6650

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $1.197

    $1.197

  • 25

    $0.9975

    $24.9375

  • 100

    $0.9025

    $90.25

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 TN0110N3-G 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 TN0110N3-G 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 TN0110N3-G 的最新报价。 TN0110N3-G 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 500µA
Supplier Device Package TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Series -
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Tj)
Mfr Microchip Technology
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Bag
Base Product Number TN0110

TN0110N3-G 标签

  • TN0110N3-G
  • TN0110N3-G PDF
  • TN0110N3-G 数据表
  • TN0110N3-G 规格
  • TN0110N3-G 图片
  • 买 TN0110N3-G
  • TN0110N3-G 价格
  • TN0110N3-G 分类
  • TN0110N3-G 关联产品
  • TN0110N3-G 关联新闻