首页 / 单 FET，MOSFET / TP65H050WS

TP65H050WS

Transphorm

型号:

TP65H050WS

品牌:

Transphorm

封装:

TO-247-3

批次:

数据手册:

描述:

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 372

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$16.7865

$16.7865
10

$14.78675

$147.8675
100

$12.788235

$1278.8235
500

$11.589316

$5794.658

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 TP65H050WS 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 TP65H050WS 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 TP65H050WS 的最新报价。 TP65H050WS 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 22A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA
Supplier Device Package	TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Power Dissipation (Max)	119W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-247-3
Technology	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Mfr	Transphorm
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Package	Tube
Base Product Number	TP65H050