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TSM056NH04LCV RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

型号:

TSM056NH04LCV RGG

封装:

8-PDFN (3.1x3.1)

批次:

-

数据手册:

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描述:

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2076 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 27A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package 8-PDFN (3.1x3.1)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Series PerFET™
Package / Case 8-PowerWDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 54A (Tc)
Mfr Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)

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