minImg

TSM060NB06CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

型号:

TSM060NB06CZ C0G

封装:

TO-220

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 3970

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $3.8095

    $3.8095

  • 10

    $3.2015

    $32.015

  • 100

    $2.589985

    $258.9985

  • 500

    $2.302192

    $1151.096

  • 1000

    $1.97125

    $1971.25

  • 2000

    $1.856138

    $3712.276

  • 5000

    $1.780775

    $8903.875

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 TSM060NB06CZ C0G 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 TSM060NB06CZ C0G 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 TSM060NB06CZ C0G 的最新报价。 TSM060NB06CZ C0G 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6842 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 13A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 156W (Tc)
Series -
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 111A (Tc)
Mfr Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Package Tube
Base Product Number TSM060

TSM060NB06CZ C0G 标签

  • TSM060NB06CZ C0G
  • TSM060NB06CZ C0G PDF
  • TSM060NB06CZ C0G 数据表
  • TSM060NB06CZ C0G 规格
  • TSM060NB06CZ C0G 图片
  • 买 TSM060NB06CZ C0G
  • TSM060NB06CZ C0G 价格
  • TSM060NB06CZ C0G 分类
  • TSM060NB06CZ C0G 关联产品
  • TSM060NB06CZ C0G 关联新闻