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TSM10N80CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

型号:

TSM10N80CZ C0G

品牌:

Taiwan Semiconductor Corporation

封装:

TO-220

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2336 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Power Dissipation (Max)	290W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.5A (Tc)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TSM10