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TSM10ND60CI

Taiwan Semiconductor Corporation

型号:

TSM10ND60CI

品牌:

Taiwan Semiconductor Corporation

封装:

ITO-220

批次:

数据手册:

描述:

600V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1928 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 3A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Supplier Device Package	ITO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Power Dissipation (Max)	56.8W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TSM10