minImg

TSM7ND65CI

Taiwan Semiconductor Corporation

型号:

TSM7ND65CI

封装:

ITO-220

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

MOSFET N-CH 650V 7A ITO220

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 3

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $3.078

    $3.078

  • 10

    $2.58875

    $25.8875

  • 100

    $2.093895

    $209.3895

  • 500

    $1.861278

    $930.639

  • 1000

    $1.59372

    $1593.72

  • 2000

    $1.500658

    $3001.316

  • 5000

    $1.439725

    $7198.625

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 TSM7ND65CI 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 TSM7ND65CI 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 TSM7ND65CI 的最新报价。 TSM7ND65CI 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1124 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 1.8A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package ITO-220
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Series -
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Mfr Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number TSM7

TSM7ND65CI 标签

  • TSM7ND65CI
  • TSM7ND65CI PDF
  • TSM7ND65CI 数据表
  • TSM7ND65CI 规格
  • TSM7ND65CI 图片
  • 买 TSM7ND65CI
  • TSM7ND65CI 价格
  • TSM7ND65CI 分类
  • TSM7ND65CI 关联产品
  • TSM7ND65CI 关联新闻