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TSM9ND50CI

Taiwan Semiconductor Corporation

型号:

TSM9ND50CI

封装:

ITO-220

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 500V 9A ITO220

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1116 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.5 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.3A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package ITO-220
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Series -
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Mfr Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number TSM9

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