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VS-3C08ET07T-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

型号:

VS-3C08ET07T-M3

品牌:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

封装:

TO-220AC

批次:

数据手册:

描述:

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

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10

$2.9507

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100

$2.386875

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500

$2.121654

$1060.827
1000

$1.816656

$1816.656
2000

$1.71058

$3421.16
5000

$1.641125

$8205.625

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产品信息

参数信息

用户指南

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	340pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr	45 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 8 A
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Current - Average Rectified (Io)	8A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C