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VS-3C12ET07T-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

型号:

VS-3C12ET07T-M3

品牌:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

封装:

TO-220AC

批次:

数据手册:

描述:

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

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$3.24387

$1621.935
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产品信息

参数信息

用户指南

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	535pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr	65 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 12 A
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Current - Average Rectified (Io)	12A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Base Product Number	VS-3C12