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VS-3C16ET07T-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

型号:

VS-3C16ET07T-M3

封装:

TO-220AC

批次:

-

数据手册:

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描述:

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

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产品信息

参数信息

用户指南

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Capacitance @ Vr, F 700pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Supplier Device Package TO-220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr 85 µA @ 650 V
Series -
Package / Case TO-220-2
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 16 A
Mfr Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Package Tube
Current - Average Rectified (Io) 16A
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C

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