minImg

VT6M1T2CR

Rohm Semiconductor

型号:

VT6M1T2CR

封装:

VMT6

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 64656

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $0.3705

    $0.3705

  • 10

    $0.2603

    $2.603

  • 100

    $0.13129

    $13.129

  • 500

    $0.107084

    $53.542

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 VT6M1T2CR 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 VT6M1T2CR 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 VT6M1T2CR 的最新报价。 VT6M1T2CR 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate, 1.2V Drive
Configuration N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Supplier Device Package VMT6
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Series -
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 120mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA
Mfr Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number VT6M1

VT6M1T2CR 标签

  • VT6M1T2CR
  • VT6M1T2CR PDF
  • VT6M1T2CR 数据表
  • VT6M1T2CR 规格
  • VT6M1T2CR 图片
  • 买 VT6M1T2CR
  • VT6M1T2CR 价格
  • VT6M1T2CR 分类
  • VT6M1T2CR 关联产品
  • VT6M1T2CR 关联新闻