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WNSC2D12650TJ

WeEn Semiconductors

型号:

WNSC2D12650TJ

封装:

5-DFN (8x8)

批次:

-

数据手册:

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描述:

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN

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产品信息

参数信息

用户指南

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Capacitance @ Vr, F 380pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package 5-DFN (8x8)
Current - Reverse Leakage @ Vr 60 µA @ 650 V
Series -
Package / Case 4-VSFN Exposed Pad
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 12 A
Mfr WeEn Semiconductors
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Package Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io) 12A
Operating Temperature - Junction 175°C
Base Product Number WNSC2

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