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BSH103BKR

Nexperia USA Inc.

型号:

BSH103BKR

品牌:

Nexperia USA Inc.

封装:

TO-236AB

批次:

数据手册:

描述:

BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC

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库存 : 29074

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

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1

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10

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100

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	79.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 1A, 4.5V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-236AB
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	330mW (Ta), 2.1W (Tc)
Series	TrenchMOS™
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)