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BSH108,215

Nexperia USA Inc.

型号:

BSH108,215

封装:

TO-236AB

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 10V
Product Status Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package TO-236AB
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 830mW (Tc)
Series TrenchMOS™
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Tc)
Mfr Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number BSH108

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