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BSO615CGHUMA1

Infineon Technologies

型号:

BSO615CGHUMA1

品牌:

Infineon Technologies

封装:

PG-DSO-8

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.5nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 3.1A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Supplier Device Package	PG-DSO-8
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Series	SIPMOS®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.1A, 2A
Mfr	Infineon Technologies
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	BSO615