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BSS84AKQBZ

Nexperia USA Inc.

型号:

BSS84AKQBZ

封装:

DFN1110D-3

批次:

-

数据手册:

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描述:

BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package DFN1110D-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Power Dissipation (Max) 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q100
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 270mA (Ta)
Mfr Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) +12V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)

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