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G06N10

Goford Semiconductor

型号:

G06N10

品牌:

Goford Semiconductor

封装:

TO-252 (DPAK)

批次:

数据手册:

描述:

N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 6A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-252 (DPAK)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Power Dissipation (Max)	25W
Series	-
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Package	Tape & Reel (TR)