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G100N03D5

Goford Semiconductor

型号:

G100N03D5

封装:

8-DFN (4.9x5.75)

批次:

-

数据手册:

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描述:

N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5595 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package 8-DFN (4.9x5.75)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Series -
Package / Case 8-PowerTDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Mfr Goford Semiconductor
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)

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