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G11S

Goford Semiconductor

型号:

G11S

品牌:

Goford Semiconductor

封装:

8-SOP

批次:

数据手册:

描述:

P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX

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10

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100

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500

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1000

$0.147231

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2000

$0.131622

$263.244

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2455 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Supplier Device Package	8-SOP
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Power Dissipation (Max)	3.3W (Tc)
Series	G
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)