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G12P03D3

Goford Semiconductor

型号:

G12P03D3

品牌:

Goford Semiconductor

封装:

8-DFN (3.15x3.05)

批次:

数据手册:

描述:

P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26

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1

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10

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100

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500

$0.264898

$132.449
1000

$0.215308

$215.308
2000

$0.19248

$384.96

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1253 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 6A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Supplier Device Package	8-DFN (3.15x3.05)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	3W (Tc)
Series	-
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)