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G5N02L

Goford Semiconductor

型号:

G5N02L

封装:

SOT-23-3

批次:

-

数据手册:

-

描述:

N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 4.2A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Power Dissipation (Max) 1.25W (Tc)
Series -
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Mfr Goford Semiconductor
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)

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