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G5S06510QT

Global Power Technology-GPT

型号:

G5S06510QT

品牌:

Global Power Technology-GPT

封装:

4-DFN (8x8)

批次:

数据手册:

描述:

DIODE SIL CARBIDE 650V 53A 4DFN

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产品信息

参数信息

用户指南

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	645pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	4-DFN (8x8)
Current - Reverse Leakage @ Vr	50 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	4-PowerTSFN
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 10 A
Mfr	Global Power Technology-GPT
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io)	53A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C