minImg

G5S6506Z

Global Power Technology-GPT

型号:

G5S6506Z

封装:

8-DFN (4.9x5.75)

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 请查询

请发送RFQ,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 G5S6506Z 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 G5S6506Z 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 G5S6506Z 的最新报价。 G5S6506Z 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Capacitance @ Vr, F 395pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package 8-DFN (4.9x5.75)
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 650 V
Series -
Package / Case 8-PowerTDFN
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 6 A
Mfr Global Power Technology-GPT
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Package Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io) 30.5A
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C

G5S6506Z 标签

  • G5S6506Z
  • G5S6506Z PDF
  • G5S6506Z 数据表
  • G5S6506Z 规格
  • G5S6506Z 图片
  • 买 G5S6506Z
  • G5S6506Z 价格
  • G5S6506Z 分类
  • G5S6506Z 关联产品
  • G5S6506Z 关联新闻