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G630J

Goford Semiconductor

型号:

G630J

品牌:

Goford Semiconductor

封装:

TO-251

批次:

数据手册:

描述:

N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.

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库存 : 732

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数量

单价

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500

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$189.4015
1000

$0.322392

$322.392
2000

$0.287128

$574.256
5000

$0.272023

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	509 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 4.5A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-251
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Series	G
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube