首页 / 单 FET，MOSFET / GA20JT12-263

GA20JT12-263

GeneSiC Semiconductor

型号:

GA20JT12-263

品牌:

GeneSiC Semiconductor

封装:

TO-263-7

批次:

数据手册:

描述:

TRANS SJT 1200V 45A D2PAK

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 GA20JT12-263 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 GA20JT12-263 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 GA20JT12-263 的最新报价。 GA20JT12-263 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3091 pF @ 800 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 20A
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Supplier Device Package	TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Power Dissipation (Max)	282W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	45A (Tc)
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Vgs (Max)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Package	Tube
Base Product Number	GA20JT12