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GAN063-650WSAQ

Nexperia USA Inc.

型号:

GAN063-650WSAQ

封装:

TO-247-3

批次:

-

数据手册:

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描述:

GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Power Dissipation (Max) 143W (Ta)
Series -
Package / Case TO-247-3
Technology GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34.5A (Ta)
Mfr Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number GAN063

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