首页 / 单 FET，MOSFET / GCMS080B120S1-E1

GCMS080B120S1-E1

SemiQ

型号:

GCMS080B120S1-E1

品牌:

SemiQ

封装:

SOT-227

批次:

数据手册:

描述:

SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 50

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$23.503

$23.503
10

$20.88195

$208.8195
100

$18.26413

$1826.413
500

$15.585358

$7792.679

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 GCMS080B120S1-E1 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 GCMS080B120S1-E1 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 GCMS080B120S1-E1 的最新报价。 GCMS080B120S1-E1 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1374 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58 nC @ 20 V
Mounting Type	Chassis Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 20A, 20V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 10mA
Supplier Device Package	SOT-227
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Power Dissipation (Max)	142W (Tc)
Series	-
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Mfr	SemiQ
Vgs (Max)	+25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube
Base Product Number	GCMS080