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GP2T080A120H

SemiQ

型号:

GP2T080A120H

品牌:

SemiQ

封装:

TO-247-4

批次:

数据手册:

描述:

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

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库存 : 55

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数量

单价

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1

$10.1365

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10

$8.92905

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100

$7.722075

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500

$6.998118

$3499.059
1000

$6.41896

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1377 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61 nC @ 20 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 20A, 20V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 10mA
Supplier Device Package	TO-247-4
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Power Dissipation (Max)	188W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Mfr	SemiQ
Vgs (Max)	+25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube
Base Product Number	GP2T080A