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GT1003D

Goford Semiconductor

型号:

GT1003D

品牌:

Goford Semiconductor

封装:

SOT-23-3L

批次:

数据手册:

描述:

N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1

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库存 : 4705

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1

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10

$0.2983

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100

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500

$0.123025

$61.5125
1000

$0.091276

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.2 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 3A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Supplier Device Package	SOT-23-3L
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Power Dissipation (Max)	2W
Series	-
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Package	Tape & Reel (TR)