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GT15J341,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

GT15J341,S4X

封装:

TO-220SIS

批次:

-

数据手册:

-

描述:

PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Type Standard
Test Condition 300V, 15A, 33Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 80 ns
Switching Energy 300µJ (on), 300µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max) 15 A
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V
Td (on/off) @ 25°C 60ns/170ns
Supplier Device Package TO-220SIS
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
Series -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power - Max 30 W
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tube
IGBT Type -

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